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        ECH8308-TL-H
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        ON安森美半導(dǎo)體完整型號:ECH8308-TL-H

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:MOSFET P-CH 12V 10A ECH8

        系列:-

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):12V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10A(Ta)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.5 毫歐 @ 5A,4.5V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):26nC @ 4.5V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2300pF @ 6V

        功率 - 最大值:1.6W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

        供應(yīng)商器件封裝:8-ECH


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