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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: 3LN01C-TB-E

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 150mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 3.7 歐姆 @ 80mA，4V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 1.58nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 7pF @ 10V

功率 - 最大值: 250mW

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *