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        2SJ661-DL-1E
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        ON安森美半導(dǎo)體完整型號:2SJ661-DL-1E

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:MOSFET P-CH 60V 38A

        系列:-

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動

        漏源極電壓 (Vdss):60V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):38A(Ta)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):39 毫歐 @ 19A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):80nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4360pF @ 20V

        功率 - 最大值:1.65W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

        供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2


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