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      2SJ652-1E
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      ON安森美半導(dǎo)體完整型號:2SJ652-1E

      制造廠家名稱:ON Semiconductor

      描述:MOSFET P-CH 60V 28A

      系列:-

      FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動

      漏源極電壓 (Vdss):60V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):28A(Ta)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):38 毫歐 @ 14A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):80nC @ 10V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4360pF @ 20V

      功率 - 最大值:2W

      安裝類型:通孔

      封裝/外殼:TO-220-3 整包

      供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG


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