PSMN7R8-120ESQ >>> Nexperia芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Nexperia公司PSMN7R8-120ESQ報(bào)價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

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Nexperia公司器件型號：PSMN7R8-120ESQ

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態(tài)：在售

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：120V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：70A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：167nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：9473pF @ 60V

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：349W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：7.9 毫歐 @ 25A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：I2PAK

封裝形式：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

PSMN7R8-120ESQ的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：5000 PCS