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      PSMN3R3-80ES,127
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      NXP恩智浦完整型號:PSMN3R3-80ES,127

      制造廠家名稱:NXP Semiconductors

      描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

      系列:-

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓 (Vdss):80V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):120A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 25A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):139nC @ 10V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9961pF @ 40V

      功率 - 最大值:338W

      安裝類型:通孔

      封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

      供應(yīng)商器件封裝:I2PAK


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