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        PMGD780SN,115
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        NXP恩智浦完整型號:PMGD780SN,115

        制造廠家名稱:NXP Semiconductors

        描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

        系列:TrenchMOS?

        FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):60V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):490mA

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):920 毫歐 @ 300mA,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.05nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):23pF @ 30V

        功率 - 最大值:410mW

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

        供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP


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