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      PHD14NQ20T,118
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      NXP恩智浦完整型號(hào):PHD14NQ20T,118

      制造廠家名稱:NXP Semiconductors

      描述:MOSFET N-CH 200V 14A DPAK

      系列:TrenchMOS?

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓 (Vdss):200V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):14A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):230 毫歐 @ 7A,10V

      不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

      不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):38nC @ 10V

      不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1500pF @ 25V

      功率 - 最大值:125W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

      供應(yīng)商器件封裝:DPAK


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