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        APT50GP60B2DQ2G
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        Microsemi美高森美完整型號(hào):APT50GP60B2DQ2G

        制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group

        描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX

        系列:POWER MOS 7

        IGBT 類型:PT

        電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

        電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150A

        Current - Collector Pulsed (Icm):190A

        不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.7V @ 15V,50A

        功率 - 最大值:625W

        Switching Energy:465μJ (開(kāi)), 635μJ (關(guān))

        輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

        Gate Charge:165nC

        25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:19ns/85ns

        Test Condition:400V, 50A, 4.3 歐姆, 15V

        反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-

        封裝/外殼:TO-247-3 變式

        安裝類型:通孔

        供應(yīng)商器件封裝:*


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