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      APT45GP120B2DQ2G
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      Microsemi美高森美完整型號(hào):APT45GP120B2DQ2G

      制造廠家名稱(chēng):Microsemi Power Products Group

      描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX

      系列:POWER MOS 7

      IGBT 類(lèi)型:PT

      電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

      電流 - 集電極 (Ic)(最大值):113A

      Current - Collector Pulsed (Icm):170A

      不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):3.9V @ 15V,45A

      功率 - 最大值:625W

      Switching Energy:900μJ (開(kāi)), 905μJ (關(guān))

      輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)

      Gate Charge:185nC

      25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:18ns/100ns

      Test Condition:600V, 45A, 5 歐姆, 15V

      反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-

      封裝/外殼:TO-247-3 變式

      安裝類(lèi)型:通孔

      供應(yīng)商器件封裝:*


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