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        APT35GP120B2DQ2G
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        APT35GP120B2DQ2G >>> Microsemi芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Microsemi公司APT35GP120B2DQ2G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!

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        Microsemi美高森美完整型號(hào):APT35GP120B2DQ2G

        制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group

        描述:IGBT 1200V 96A 543W TMAX

        系列:POWER MOS 7

        IGBT 類型:PT

        電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

        電流 - 集電極 (Ic)(最大值):96A

        Current - Collector Pulsed (Icm):140A

        不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):3.9V @ 15V,35A

        功率 - 最大值:543W

        Switching Energy:750μJ (開), 680μJ (關(guān))

        輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

        Gate Charge:150nC

        25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:16ns/95ns

        Test Condition:600V, 35A, 4.3 歐姆, 15V

        反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-

        封裝/外殼:TO-247-3 變式

        安裝類型:通孔

        供應(yīng)商器件封裝:*


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