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      SPB80N04S2-H4
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      Infineon英飛凌公司完整型號:SPB80N04S2-H4

      制造廠家名稱:Infineon Technologies

      描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

      系列:OptiMOS?

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標準

      漏源極電壓 (Vdss):40V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4 毫歐 @ 80A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):148nC @ 10V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5890pF @ 25V

      功率 - 最大值:300W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

      供應(yīng)商器件封裝:P-TO263-3


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