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      BSZ123N08NS3 G
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      Infineon英飛凌公司完整型號:BSZ123N08NS3 G

      制造廠家名稱:Infineon Technologies

      描述:MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

      系列:OptiMOS?

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標準

      漏源極電壓 (Vdss):80V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10A(Ta),40A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 20A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1700pF @ 40V

      功率 - 最大值:66W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:8-PowerVDFN

      供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)


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