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      BSS192PE6327T
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      Infineon英飛凌公司完整型號:BSS192PE6327T

      制造廠家名稱:Infineon Technologies

      描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89

      系列:SIPMOS

      FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能:邏輯電平門

      漏源極電壓 (Vdss):250V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):190mA(Ta)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6.1nC @ 10V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):104pF @ 25V

      功率 - 最大值:1W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:TO-243AA

      供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89-4


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