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      BSO201SP H
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      Infineon英飛凌公司完整型號:BSO201SP H

      制造廠家名稱:Infineon Technologies

      描述:MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC

      系列:OptiMOS?

      FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能:邏輯電平門

      漏源極電壓 (Vdss):20V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12A(Ta)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8 毫歐 @ 14.9A,4.5V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):88nC @ 4.5V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9600pF @ 15V

      功率 - 最大值:1.6W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

      供應商器件封裝:PG-DSO-8


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