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      HGTD1N120BNS9A
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      HGTD1N120BNS9A >>> Fairchild芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供Fairchild公司HGTD1N120BNS9A報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!

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      Fairchild仙童公司完整型號:HGTD1N120BNS9A

      制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor

      描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

      系列:-

      IGBT 類型:NPT

      電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

      電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5.3A

      Current - Collector Pulsed (Icm):6A

      不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.9V @ 15V,1A

      功率 - 最大值:60W

      Switching Energy:70μJ (開), 90μJ (關(guān))

      輸入類型:標準

      Gate Charge:14nC

      25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/67ns

      Test Condition:960V, 1A, 82 歐姆, 15V

      反向恢復時間 (trr):-

      封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

      安裝類型:表面貼裝

      供應商器件封裝:TO-252AA


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