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        FQB19N10LTM
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        Fairchild仙童公司完整型號:FQB19N10LTM

        制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor

        描述:MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

        系列:QFET

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標準

        漏源極電壓 (Vdss):100V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):19A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):100 毫歐 @ 9.5A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):18nC @ 5V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):870pF @ 25V

        功率 - 最大值:3.75W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

        供應商器件封裝:D2PAK


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