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      DMN26D0UFB4-7
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      Diodes公司完整型號:DMN26D0UFB4-7

      制造廠家名稱:Diodes Incorporated

      描述:MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

      系列:-

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:邏輯電平門

      漏源極電壓 (Vdss):20V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):230mA(Ta)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 100mA,4.5V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14.1pF @ 15V

      功率 - 最大值:350mW

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:3-XFDFN

      供應商器件封裝:3-DFN1006H4(1.0x0.6)


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