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Diodes公司完整型號：DMN2029USD-13

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：5.8A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：25 毫歐 @ 6.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.6nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1171pF @ 10V

功率 - 最大值：1.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO