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      DMN10H120SE-13
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      DMN10H120SE-13 >>> Diodes芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Diodes公司DMN10H120SE-13報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!

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      Diodes公司完整型號: DMN10H120SE-13

      制造廠家名稱: Diodes Incorporated

      功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

      系列: -

      FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓(Vdss): 100V

      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 3.6A(Ta)

      不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 110 毫歐 @ 3.3A,10V

      不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA

      不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 10nC @ 10V

      不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 549pF @ 50V

      功率 - 最大值: 1.3W

      安裝類型: 表面貼裝

      封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA

      供應(yīng)商器件封裝: SOT-223


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